Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1000-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Doherty-Senderanwendungen mit asymmetrischem Rundfunk, der mit einer durchschnittlichen DVB-T-Leistung von 180 W arbeitet. Die hervorragende Robustheit dieses Geräts macht ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1000-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für asymmetrische Doherty-Senderanwendungen mit einer DVB-T-Durchschnittsleistung von 180 W. Dank seiner hervorragenden Robustheit eignet sich dieser Baustein ideal für digitale ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...
- 30V P-Kanal MOSFET Der AO3401 verwendet fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 2,5 V zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich für den Einsatz ...
- P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET Dieser P-Kanal-MOSFET mit 1,8 V verwendet Fairchilds Niederspannungs-PowerTrench-Prozess. Er wurde für Anwendungen zur Batteriestromverwaltung optimiert.
P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...- P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...
- P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...
- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFP22N60K
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFP22N60K
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFP22N60KLeistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor MTP33N10E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP33N10ELeistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor MTP20N20E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP20N20ELeistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - N- und P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET