Datasheets - Transistoren, Transistor-Arrays & Module
Unterabschnitt: "Transistoren, Transistor-Arrays & Module"
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- MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal
- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
- MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STF19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STF19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STD19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STB19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STP19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFZ24 IRFZ24PbF-BE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFZ24
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. - Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz.
- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFZ24 IRFZ24PbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFZ24Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFU9310 SiHFU9310-GE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFU9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFR9310 SiHFR9310-GE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRL-GE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TR-GE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRR-GE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay SiHFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFU9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...