30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
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30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
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P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
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