Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren - 9

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  2. N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  1. N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  2. 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
  3. TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
  4. Datasheet Vishay SI1308EDL-T1-BE3
    N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  5. Datasheet Vishay SI1308EDL-T1-GE3
    N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  6. N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
  7. Datasheet Texas Instruments CSD17303Q5
    30-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150
  8. 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
  9. 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
  10. 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
  11. 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
  12. 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
  13. 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
  14. P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
  15. P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
  16. P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
  17. P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
  18. P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...