Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren - 4
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -30 V, -11 A, 14 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Widerstand im eingeschalteten ...
EPC2361: 100 V, 101 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus Die außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität und der niedrige Temperaturkoeffizient von Galliumnitrid ermöglichen einen sehr niedrigen RDS(on), während seine laterale ...
- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.
- Seitlicher N-Kanal-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 2700–2900 MHz, 320 W, 30 V
- Seitlicher N-Kanal-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 2700–2900 MHz, 320 W, 30 V
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- Silizium-N-Kanal-MOSFET
- POWER MOS V 400V 93A 0,035Ω Power MOS V ist eine neue Generation von Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Anreicherungsmodus. Diese neue Technologie minimiert den JFET-Effekt, erhöht die Packungsdichte und verringert den Einschaltwiderstand. ...
- Synchroner Boost-Controller mit niedrigem IQ und Spread Spectrum Der HL8021 ist ein Hochleistungs-Boost-Controller, der eine synchrone N-Kanal-MOSFET-Boost-Leistungsstufe ansteuert und mit einem breiten Eingangsversorgungsbereich von 4,5 V bis 40 V ...
- Synchroner Boost-Controller mit niedrigem IQ und Spread Spectrum Der HL8021 ist ein Hochleistungs-Boost-Controller, der eine synchrone N-Kanal-MOSFET-Boost-Leistungsstufe ansteuert und mit einem breiten Eingangsversorgungsbereich von 4,5 V bis 40 V ...
100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...- 100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...
- Duales P-Kanal-Matched-Pair-MOSFET-Array Bei den ALD1107/ALD1117 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-P-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen sind. ...
- Vierfach-P-Kanal-Matched-Pair-MOSFET-Array Bei den ALD1107/ALD1117 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-P-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...
- Quad/Dual N-Kanal Matched Pair Mosfet Array Bei den ALD1106/ALD1116 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-N-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...
- Quad/Dual N-Kanal Matched Pair Mosfet Array Bei den ALD1106/ALD1116 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-N-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...