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SCT3160KLGC11 — Datasheet Rohm
MOSFET-Einzeltransistoren
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SCT3160KLGC11
Nch-Siliciumcarbid (SiC) -MOSFET SCT3160KL ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid). Zu den Merkmalen gehören Hochspannungswiderstand, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
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