Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren IXYS
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "IXYS"
Hersteller
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IXTA3N50D2 IXTA44P15T IXTH44P15T IXTP02N50D IXTP3N50D2 IXTP44P15T IXTQ44P15T IXTU02N50D IXTY02N50DSuchergebnisse: 182 Ausgabe: 1-20
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- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
N-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus- N-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus
Part Number: IXUC120N10 Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, ISOPLUS220 Download Data Sheet Docket: ADVANCE TECHNICAL INFORMATION Trench Power MOSFET IXUC 120N10 ISOPLUS220TM Electrically Isolated Back Surface VDSS = 100 V ID25 = 120 A ...
Part Number: IXTY1R4N60P Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, D-PAK Specifications: Capacitance Ciss Typ: 140 pF Continuous Drain Current Id: 1 A Drain Source Voltage Vds: 600 V Junction to Case Thermal Resistance A: 2.5°C/W Mounting Type: ...
Part Number: IXTP8N50PM Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, TO-220 Download Data Sheet Docket: Preliminary Technical Information PolarHVTM Power MOSFET (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTP 8N50PM ...- Part Number: IXTP2N100 Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, TO-220 Download Data Sheet Docket: High Voltage MOSFET N-Channel Enhancement Mode IXTA 2N100 IXTP 2N100 VDSS = 1000 V ID25 =2A RDS(on) = 7 Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM PD TJ ...
- Part Number: IXTP1R6N50P Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, TO-220 Download Data Sheet Docket: PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTP 1R6N50P IXTY 1R6N50P VDSS ID25 RDS(on) Specifications: Capacitance Ciss ...
Part Number: IXTH20N60 Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, TO-247 Download Data Sheet Docket: MegaMOSTMFET IXTH 20N60 IXTM 20N60 VDSS = 600 V = 20 A ID25 RDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement Mode Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM PD TJ TJM ...- Part Number: IXKC25N80C Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, ISOPLUS220 Specifications: Capacitance Ciss Typ: 4600 pF Continuous Drain Current Id: 20 A Drain Source Voltage Vds: 800 V Isolation Voltage: 2.5 kV Mounting Type: Through Hole ...
- Part Number: IXKC20N60C Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, ISOPLUS220 Download Data Sheet Docket: CoolMOSTM Power MOSFET IXKC 20N60C in ISOPLUS220TM Package Electrically Isolated Back Surface N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), ...
Part Number: IXFV30N60PS Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, SMD, PLUS220 Download Data Sheet Docket: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated IXFH 30N60P IXFT 30N60P IXFV 30N60P IXFV ...
Part Number: IXFT96N20P Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, TO-268 Download Data Sheet Docket: PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH 96N20P IXFT 96N20P IXFV 96N20P VDSS ID25 ...
Part Number: IXFR180N10 Manufacturer: IXYS Description: MOSFET, N, ISOPLUS247 Download Data Sheet Docket: HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 180N10 VDSS = 100 ISOPLUS247TM ID25 = 165 (Electrically Isolated Back Surface) Single MOSFET Die Preliminary ...
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