Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Fairchild
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Fairchild"
Hersteller
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2N7000, 2N7002, NDS7002A BSS100 BSS123 BUZ11 FDC5614P FDC6312P FDD4141 FDD6637 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN337N FDN359AN FDS6675 FDS6679 FDS7788 FDV301N FDV303N FQP13N10 FQP13N10L IRF530A NDS0610 NDS8947 NDS9948 RF1S30N06LESM RFP30N06LE SI9424DYSuchergebnisse: 798 Ausgabe: 1-20
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- Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -30 V, -11 A, 14 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Widerstand im eingeschalteten ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
- P-Kanal, POWERTRENCH, Logikpegel-MOSFET Dieser 60-V-P-Kanal-MOSFET verwendet den Hochspannungs-POWERTRENCH-Prozess von onsemi. Es wurde für Power-Management-Anwendungen optimiert.
- P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...
- N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Dieser N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung eines fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu ...
- 35-V-P-Kanal-PowerTrench-MOSFET
N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor- Digital-FET, N-Kanal
Teilenummer : FDN302P Hersteller: Fairchild Beschreibung: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Datenblatt herunterladen Docket: FDN302P Oktober 2000 FDN302P P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET Allgemeine Beschreibung Spezifikationen: ID des ...- Digital-FET, N-Kanal Spezifikationen: Dauerstrom ID: 220 mA Strom ID Max: 220 mA Aktuelle Temperatur: 25°C Drain-Source-Spannung Vds: 25 V ESD-HBM: 6 kV Externe Tiefe: 2,5 mm Äußere Länge/Höhe: 1,12 mm Außenbreite: 3,05 mm Temperatur bei voller ...
- 30V N-Kanal PowerTrench MOSFET
- Feldeffekttransistor im Dual-P-Kanal-Verbesserungsmodus
- Einzelner P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET
- Dual P-Channel PowerTrench MOSFET, 1,8 V spezifiziert, -20 V, -2,3 A, 115 mΩ
- P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
- 30 A, 60 V, ESD-Nennleistung, 0,047 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Logikpegel
30 A, 60 V, ESD-Nennleistung, 0,047 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Logikpegel Spezifikationen: P30N06LE Dauerströmungs-ID: 30 A. Aktuelle ID max: 30 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 60 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° ...- Feldeffekttransistor im P-Kanal-Verbesserungsmodus -60 V, -0,12 A, 10 Ω
- P-Kanal PowerTrench® MOSFET, -40 V, -50 A, 12,3 mΩ
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