Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Diodes
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Diodes"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedSerie: "DMP3099L"
Serie
BSS84 DMN2990UFZ DMN3012LEG DMN31D5UFZ DMP2160UWQ DMP3099L DMP32D9UFZ DMT10H015LPS DMT47M2LDVQ VN10LP ZVN2106A ZVN2110A ZVN3306A ZVN3306F ZVN4210G ZVP2106A ZVP3306A ZXGD3113W6 ZXM61N02F ZXMP6A17DN8 ZXMP6A17E6 ZXMP6A17E6Q ZXMP6A17GQ ZXMP6A17K ZXMP6A17N8Suchergebnisse: 1 Ausgabe: 1
Aussicht: Aufführen / Bilder
P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...