Datasheet 2N6052 (ON Semiconductor) - 2
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Beschreibung | 12 A, 100 V PNP Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| Seiten / Seite | 6 / 2 — 2N6052. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. … |
| Revision | 5 |
| Dateiformat / Größe | PDF / 186 Kb |
| Dokumentensprache | Englisch |
2N6052. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. Unit. OFF CHARACTERISTICS. ON CHARACTERISTICS
Modelllinie für dieses Datenblatt
Textversion des Dokuments
link to page 2 link to page 2 link to page 2
2N6052
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) (Note 2) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (I V 100 − Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 100 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current (V I − 1.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = 50 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO ÎÎÎ ÎÎÎÎ Collector Cutoff Current I mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CEX ÎÎÎ ÎÎÎÎ (VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) − 0.5 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (V ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) − 5.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎ IEBO − ÎÎÎÎ 2.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
(Note 3) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain ÎÎÎÎÎ h ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ FE − (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) − ÎÎÎÎ 2.0 (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) VBE(sat) − 4.0 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) − 2.8 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short Circuit Forward |hfe| 4.0 − MHz ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Current Transfer Ratio (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) Cob − 500 pF ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Small−Signal Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 − − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ 2. Indicates JEDEC Registered Data. 3. Pulse test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2.0%. VCC 10 RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V 2N6052 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 5.0 2N6059 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW I SCOPE ts B ≈ 100 mA TUT V 2.0 2 RB approx tf (s)μ +8.0 V 1.0 D 51 1 ≈ 5.0 k ≈ 50 0 t, TIME tr V 0.5 1 approx +4.0 V VCC = 30 V -8.0 V t 25 d @ VBE(off) = 0 ms for t I d and tr, D1 is disconnected C/IB = 250 and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2 tr, tf ≤ 10 ns TJ = 25°C DUTY CYCLE = 1.0% 0.1 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20 For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times http://onsemi.com 2
2N6052
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) (Note 2) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (I V 100 − Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 100 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current (V I − 1.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = 50 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO ÎÎÎ ÎÎÎÎ Collector Cutoff Current I mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CEX ÎÎÎ ÎÎÎÎ (VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) − 0.5 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (V ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) − 5.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎ IEBO − ÎÎÎÎ 2.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
(Note 3) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain ÎÎÎÎÎ h ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ FE − (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) − ÎÎÎÎ 2.0 (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) VBE(sat) − 4.0 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) − 2.8 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short Circuit Forward |hfe| 4.0 − MHz ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Current Transfer Ratio (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) Cob − 500 pF ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Small−Signal Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 − − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ 2. Indicates JEDEC Registered Data. 3. Pulse test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2.0%. VCC 10 RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V 2N6052 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 5.0 2N6059 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW I SCOPE ts B ≈ 100 mA TUT V 2.0 2 RB approx tf (s)μ +8.0 V 1.0 D 51 1 ≈ 5.0 k ≈ 50 0 t, TIME tr V 0.5 1 approx +4.0 V VCC = 30 V -8.0 V t 25 d @ VBE(off) = 0 ms for t I d and tr, D1 is disconnected C/IB = 250 and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2 tr, tf ≤ 10 ns TJ = 25°C DUTY CYCLE = 1.0% 0.1 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20 For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times http://onsemi.com 2