Datasheets - JFET-Einzeltransistoren - 4
Unterabschnitt: "JFET-Einzeltransistoren"
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Calogic Central Semiconductor Fairchild Genesic Semiconductor InterFET Linear Systems New Jersey Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Sanyo Semelab SemiSouth Solid State VishaySuchergebnisse: 232 Ausgabe: 61-80
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- Trans JFET N-CH 25 V Si 3-polig TO-92
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
- Allzweck-AMP im TO-72-Gehäusestil
Der Dual-N-Kanal-JFET-Verstärker bietet ein Gleichgewicht zwischen sehr geringem Rauschen (en = 1,8 nV / √Hz) und sehr geringer Eingangskapazität (Ciss = 4 pF).- P-Kanal-Silizium-Feldeffekttransistoren FETs mit symmetrischem Silizium-p-Kanal-Übergang in einer TO-92-Hülle aus Kunststoff, vorgesehen für die Anwendung mit analogen Schaltern, Zerhackern, Kommutatoren usw.
- P-Kanal-Silizium-Feldeffekttransistoren FETs mit symmetrischem Silizium-p-Kanal-Übergang in einer TO-92-Hülle aus Kunststoff, vorgesehen für die Anwendung mit analogen Schaltern, Zerhackern, Kommutatoren usw.
- P-Kanal-Silizium-Feldeffekttransistoren FETs mit symmetrischem Silizium-p-Kanal-Übergang in einer TO-92-Hülle aus Kunststoff, vorgesehen für die Anwendung mit analogen Schaltern, Zerhackern, Kommutatoren usw.
- P-Kanal-Silizium-Feldeffekttransistoren FETs mit symmetrischem Silizium-p-Kanal-Übergang in einer TO-92-Hülle aus Kunststoff, vorgesehen für die Anwendung mit analogen Schaltern, Zerhackern, Kommutatoren usw.
N-Kanal-HF-Verstärker Eigenschaften: Dieses Gerät ist für VHF / UHF-Verstärker ausgelegt Aus Prozess 50 bezogen- N-Kanal-HF-Verstärker Eigenschaften: Dieses Gerät ist für VHF / UHF-Verstärker ausgelegt Aus Prozess 50 bezogen
- N-Kanal-HF-Verstärker Eigenschaften: Dieses Gerät ist für VHF / UHF-Verstärker ausgelegt Aus Prozess 50 bezogen
- N-Kanal-HF-Verstärker Eigenschaften: Dieses Gerät ist für VHF / UHF-Verstärker ausgelegt Aus Prozess 50 bezogen
N-Kanal-Sperrschicht-FET- N-Kanal-Sperrschicht-FET