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- P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...
- P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...
- 4,096 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz NRND = Nicht empfohlen für neue Designs Der ZR4040-4.1 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 4,1 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen ...
- 4,096 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz NRND = Nicht empfohlen für neue Designs Der ZR4040-4.1 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 4,1 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen ...
- 3,3 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz NRND = Nicht empfohlen für neue Designs Der ZR4040-5.0 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 5,0 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen ...
- 3,3 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz NRND = Nicht empfohlen für neue Designs Der ZR4040-5.0 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 5,0 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen ...
- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Der ZR4040-2.5 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Der ZR4040-2.5 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
- 2,5 V niedriger Kniestrom, Spannungsreferenz Der ZR4040-2.5 verwendet ein Bandgap-Schaltkreisdesign, um eine präzise Mikroleistungsspannungsreferenz von 2,5 Volt zu erreichen. Das Gerät ist in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse ...
- NIEDRIGER KNIESTROM 2,5 EINSTELLBARER SHUNT-REGLER Der ZHT431 ist ein einstellbarer Shunt-Regler mit drei Anschlüssen, der hervorragende Temperaturstabilität und Ausgangsstrombelastbarkeit bis zu 100 mA bietet. Das Gerät bietet einen erweiterten ...
- NIEDRIGER KNIESTROM 2,5 EINSTELLBARER SHUNT-REGLER Der ZHT431 ist ein einstellbarer Shunt-Regler mit drei Anschlüssen, der hervorragende Temperaturstabilität und Ausgangsstrombelastbarkeit bis zu 100 mA bietet. Das Gerät bietet einen erweiterten ...
- NIEDRIGER KNIESTROM 2,5 EINSTELLBARER SHUNT-REGLER Der ZHT431 ist ein einstellbarer Shunt-Regler mit drei Anschlüssen, der hervorragende Temperaturstabilität und Ausgangsstrombelastbarkeit bis zu 100 mA bietet. Das Gerät bietet einen erweiterten ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- Oberflächenmontierte Schottky-Barrierediode Die oberflächenmontierbare 70-mA-Schottky-Barrierediode im SOT23-Gehäuse bietet einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und schnelle Schaltfähigkeit und ist mit einem PN-Junction-Schutzring für ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET