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1. EPC2207 — Datasheet Efficient Power Conversion
   MOSFET-Einzeltransistoren Efficient Power Conversion EPC2207
   

   200 V, 54 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 22 mΩ ID, 14 A. Gepulster Ausweis, 54 A.
2. EPC2215 — Datasheet Efficient Power Conversion
   MOSFET-Einzeltransistoren Efficient Power Conversion EPC2215
   

   200 V, 162 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 8 mΩ ID, 32 A. Gepulster Ausweis, 162 A.