Datasheets

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1. IXTY02N50D — Datasheet IXYS
   MOSFET-Einzeltransistoren IXYS IXTY02N50D
   

   Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
2. IXTY02N50D — Datasheet Littelfuse
   MOSFET-Einzeltransistoren Littelfuse IXTY02N50D
   

   Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...