Datasheets

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  1. Datasheet Rohm SCT3160KLHRC11
    Nch-Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET für die Automobilindustrie AEC-Q101 qualifiziertes Produkt in Automobilqualität. SCT3160KLHR ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid). Zu den Merkmalen gehören Hochspannungswiderstand, niedriger ...
  2. Datasheet Rohm SCT3160KLGC11
    Nch-Siliciumcarbid (SiC) -MOSFET SCT3160KL ist ein SiC-Graben-MOSFET (Siliziumkarbid). Zu den Merkmalen gehören Hochspannungswiderstand, niedriger Einschaltwiderstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.