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PMN50XP,165 — Datasheet NXP
MOSFET-Einzeltransistoren
NXP
PMN50XP
PMN50XP,165
P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel
PMN50XP,165 — Datasheet Nexperia
MOSFET-Einzeltransistoren
Nexperia
PMN50XP
PMN50XP,165
P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel
BC846DS — Datasheet NXP
Bipolare Arrays & Module
NXP
BC846DS
65 V, 100 mA NPN / NPN-Universaltransistorpaar Spezifikationen: Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 65 V. DC-Kollektorstrom: 100 mA Gleichstromverstärkung: 200 Anzahl der Stifte: 6 Betriebstemperaturbereich: -55 ° C bis + 150 ° C. ...
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