Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor - 3

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41. MPSH81 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MPSH81
    NPN Bipolarer Kleinsignaltransistor Dieser NPN-Bipolartransistor wurde für universelle VHF/UHF-Anwendungen entwickelt und ist im TO-92-Gehäuse untergebracht. Dieses Gerät ist ideal für Low-Power-Anwendungen.
42. MPSH10RLRAG — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MPSH10 MPSH10RLRAG
    NPN Bipolarer Kleinsignaltransistor Dieser NPN-Bipolartransistor wurde für universelle VHF/UHF-Anwendungen entwickelt und ist im TO-92-Gehäuse untergebracht. Dieses Gerät ist ideal für Low-Power-Anwendungen.

43. MMBTA42 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MMBTA42
    Stromgleichrichter, ultraschnelle Wiederherstellung, 1 A, 150 V Der Ultrafast Power Rectifier ist ideal geeignet für Hochspannungs-, Hochfrequenz-Gleichrichtung oder als Freilauf- und Schutzdioden in SMD-Anwendungen, bei denen kompakte Größe und ...
44. MJ14001G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MJ14001 MJ14001G
    Leistung 60A 60V diskreter PNP Der bipolare NPN-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltkreisanwendungen entwickelt. MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) sind komplementäre Geräte.
45. MJ14003G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MJ14003 MJ14003G
    Leistung 60A 80V diskreter PNP Der bipolare NPN-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltkreisanwendungen entwickelt. MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) sind komplementäre Geräte.
46. MJ14002 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MJ14002
    60 A, 80 V NPN Bipolarer Leistungstransistor Der bipolare NPN-Leistungstransistor wurde für den Einsatz in Hochleistungsverstärkern und Schaltkreisanwendungen entwickelt. MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) sind komplementäre Geräte.
47. BC182B — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor BC182B
    Transistor Silizium-Kunststoff NPN NPN-Silizium
48. BC182A — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor BC182A
    Transistor Silizium-Kunststoff NPN NPN-Silizium
49. BC182 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor BC182
    Transistor Silizium-Kunststoff NPN NPN-Silizium
50. TIP127G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP127 TIP127G
    5,0 A, 100 V PNP Darlington Bipolarer Leistungstransistor Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind komplementäre ...
51. TIP126G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP126 TIP126G
    PNP Darlington Bipolarer Leistungstransistor mittlerer Leistung Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ...
52. TIP125 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP125
    PNP Darlington Bipolarer Leistungstransistor mittlerer Leistung Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ...
53. TIP121G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP121 TIP121G
    NPN Darlington Bipolarer Leistungstransistor mittlerer Leistung Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ...
54. TIP120G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP120 TIP120G
    NPN Darlington Bipolarer Leistungstransistor mittlerer Leistung Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind ...
55. TIP122G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor TIP122 TIP122G
    5,0 A, 100 V NPN Darlington Bipolarer Leistungstransistor Der Darlington Bipolar Power Transistor wurde für Allzweckverstärker und langsame Schaltanwendungen entwickelt. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN); TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sind komplementäre ...
56. FMB2227A — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor FMB2227A
    Komplementärer NPN- und PNP-Doppeltransistor Dieses komplementäre Gerät wird als Verstärker mittlerer Leistung und als Schalter verwendet, der Kollektorströme bis zu 500 mA benötigt. Aus Prozess 19 und 63. Siehe FFB2222A (NPN) und FFB2907A (PNP) ...
57. FFB2227A — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor FFB2227A
    NPN- und PNP-Allzweckverstärker Dieses komplementäre Gerät wird als Verstärker mittlerer Leistung und als Schalter verwendet, der Kollektorströme bis zu 500 mA benötigt. Aus Prozess 19 und 63. Siehe FFB2222A (NPN) und FFB2907A (PNP) für ...
58. BC640 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor BC640
    PNP Bipolartransistor Der PNP-Bipolartransistor ist für den Einsatz in linearen und Schaltanwendungen ausgelegt. Das Gerät befindet sich im TO-92-Gehäuse, das für Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
59. MMBT3640 — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MMBT3640
    PNP-Schalttransistor PNP-Schalttransistor Dieses Gerät ist für das Hochgeschwindigkeits-Sättigungsschalten bei Kollektorströmen bis 100 mA ausgelegt. Aus Prozess 65 bezogen. Siehe PN4258 für Eigenschaften.
60. MMBT2369ALT1G — Datasheet ON Semiconductor
    Bipolare Einzeltransistoren ON Semiconductor MMBT2369AL MMBT2369ALT1G
    NPN Bipolartransistor Dieser NPN-Bipolartransistor wurde für allgemeine Schaltanwendungen entwickelt und ist im SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage enthalten. Dieses Gerät ist ideal für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringem ...

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