Datasheet ON Semiconductor MBT3906DW1T2G — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMBT3906DW1
ArtikelnummerMBT3906DW1T2G

Dual PNP Bipolartransistor

Datenblätter

Datasheet MBT3906DW1
PDF, 354 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Aug 15, 2023, Seiten: 9
Dual General Purpose Transistor
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Der Dual-PNP-Bipolartransistor ist ein Spin-off unseres beliebten dreipoligen SOT-23/SOT-323-Geräts.

Es ist für allgemeine Verstärkeranwendungen konzipiert und im oberflächenmontierbaren SOT-363-Gehäuse mit sechs Anschlüssen untergebracht. Durch die Unterbringung zweier diskreter Geräte in einem Gehäuse eignet sich dieses Gerät ideal für oberflächenmontierte Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen der Platz auf der Platine knapp ist.

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • Discrete & Power Modules > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors