The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
Silizium-N-Kanal-JFETS Die Geräte der Serie PN4391 von CENTRAL SEMICONDUCTOR sind N-Kanal-Silizium-JFETs, die für analoge Schalt- und Chopper-Anwendungen entwickelt wurden.
Silizium-N-Kanal-JFETS Die Geräte der Serie PN4391 von CENTRAL SEMICONDUCTOR sind N-Kanal-Silizium-JFETs, die für analoge Schalt- und Chopper-Anwendungen entwickelt wurden.
±15 V, 128-Tap, digitale Potentiometer mit geringer Drift Die MAX5436-MAX5439 sind digitale Hochspannungspotentiometer mit 128 Abgriffen (±5 V bis ±15 V) in Gehäusen, die halb so groß sind wie vergleichbare Geräte im 8-poligen SO-Gehäuse. Sie ...
±15 V, 128-Tap, digitale Potentiometer mit geringer Drift Die MAX5436-MAX5439 sind digitale Hochspannungspotentiometer mit 128 Abgriffen (±5 V bis ±15 V) in Gehäusen, die halb so groß sind wie vergleichbare Geräte im 8-poligen SO-Gehäuse. Sie ...
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