Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Datenblatt

HerstellerCentral Semiconductor
SerieCDM22010-650
Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650

Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus Hochstrom

Datenblätter

Datasheet CDM22010-650
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SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
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Spice Models

Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Aug 18, 2014
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Preise

Status

CDM22010-650CDM22010-650 SL
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

Parameter

Parameters / ModelsCDM22010-650
CDM22010-650
CDM22010-650 SL
CDM22010-650 SL
@ID5A5A
@VGS10V10V
DescriptionN-Channel Enhancement Mode High CurrentN-Channel Enhancement Mode High Current
ECCN CodeEAR99EAR99
HTS Code8541.29.00808541.29.0080
ID max10A10A
Marking CodeCEN N
CDM10
-650 D/C
CEN N
CDM10
-650 D/C
MountingThrough-HoleThrough-Hole
PD max2W2W
PackageTO-220TO-220
PolarityN-CHN-CH
Qg typ20nc20nc
VDS max650V650V
VGS max30V30V
rDS(ON) max

Modellreihe

Serie: CDM22010-650 (2)

Herstellerklassifikation

  • MOSFETs & JFETs > MOSFETs