Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Datenblatt
Hersteller | Central Semiconductor |
Serie | CDM22010-650 |
Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus Hochstrom
Datenblätter
Datasheet CDM22010-650
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SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
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Spice Models
Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Aug 18, 2014
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Preise
Status
CDM22010-650 | CDM22010-650 SL | |
---|---|---|
Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) | Active (Recommended for new designs) |
Parameter
Parameters / Models | CDM22010-650 | CDM22010-650 SL |
---|---|---|
@ID | 5A | 5A |
@VGS | 10V | 10V |
Description | N-Channel Enhancement Mode High Current | N-Channel Enhancement Mode High Current |
ECCN Code | EAR99 | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.0080 | 8541.29.0080 |
ID max | 10A | 10A |
Marking Code | CEN N CDM10 -650 D/C | CEN N CDM10 -650 D/C |
Mounting | Through-Hole | Through-Hole |
PD max | 2W | 2W |
Package | TO-220 | TO-220 |
Polarity | N-CH | N-CH |
Qg typ | 20nc | 20nc |
VDS max | 650V | 650V |
VGS max | 30V | 30V |
rDS(ON) max | 1Ω | 1Ω |
Modellreihe
Serie: CDM22010-650 (2)
Herstellerklassifikation
- MOSFETs & JFETs > MOSFETs