Datasheets - Schottky-Dioden & Gleichrichter - 7

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121. MBR20100CT-M3/4W — Datasheet Vishay
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Vishay MBR20100CT MBR20100CT-M3/4W
     Doppelter Hochspannungs-Trench-MOS-Barrieren-Schottky-Gleichrichter Für den Einsatz in Hochfrequenzgleichrichtern von Schaltnetzteilen, Freilaufdioden, DC/DC-Wandlern oder Verpolschutzanwendungen.
122. MBR20100CT — Datasheet Vishay
     Schottky-Dioden & Gleichrichter Vishay MBR20100CT
     Doppelter Hochspannungs-Trench-MOS-Barrieren-Schottky-Gleichrichter Für den Einsatz in Hochfrequenzgleichrichtern von Schaltnetzteilen, Freilaufdioden, DC/DC-Wandlern oder Verpolschutzanwendungen.

123. MBRM120LT1G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT1G
     1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
124. MBRM120LT1 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT1
     1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
125. MBRM120LT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT3G
     1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
126. MBRM120LT3 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRM120L MBRM120LT3
     1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
127. SBRS8130LNT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor SBRS8130LN SBRS8130LNT3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
128. SBRS8130LN — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor SBRS8130LN
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
129. MBRS130LT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130LT3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
130. SBRS8130LT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130LT3G SBRS8130LT3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
131. MBRS130LT3 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130LT3G MBRS130LT3
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
132. MBRS130LT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130LT3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
133. NRVBS130NT3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor NRVBS130N NRVBS130NT3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
134. NRVBS130N — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor NRVBS130N
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
135. NRVBS130T3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130 NRVBS130T3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
136. MBRS130T3 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130 MBRS130T3
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
137. MBRS130 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
138. MBRS130T3G — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130 MBRS130T3G
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
139. MBRS130 — Datasheet ON Semiconductor
     Schottky-Dioden & Gleichrichter ON Semiconductor MBRS130
     1,0 A, 30 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky-Gleichrichter verwendet das Prinzip der Schottky-Barriere in einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode. Die hochmoderne Geometrie des Schottky-Gleichrichters ...
140. STPS2H100U — Datasheet STMicroelectronics
     Schottky-Dioden & Gleichrichter STMicroelectronics STPS2H100 STPS2H100U
     100 V, 2 A Leistungs-Schottky-Gleichrichter Alle Features Vernachlässigbare Schaltverluste Hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit Niedriger Leckstrom Guter Kompromiss zwischen Leckstrom und Durchlassspannungsabfall Lawinenfähigkeit angegeben ...