Galvanisch isoliert 4 Ein einzelner Gate-Treiber Der STGAP2HS ist ein einzelner Gate-Treiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Treiberkanal und der Niederspannungssteuerungs- und Schnittstellenschaltung bietet. Der Gate-Treiber ...
80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...
9A Low Side SiC MOSFET IGBT Treiber Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9A-Quellen- und Senkenausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalten und minimieren ...