Datasheets - Gate-Treiber - 3
Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
Hersteller
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMICSuchergebnisse: 1,444 Ausgabe: 41-60
Aussicht: Aufführen / Bilder
Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Alle Features 600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren: QFN 9 x 9 x 1 mm Packung R DS (EIN) = 225 mΩ I ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- Galvanisch isoliert 4 Ein Single-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs Alle Features Hochspannungsschiene bis 1200 V. Treiberstromfähigkeit: 4 A Senke / Quelle bei 25 ° C. dV / dt transiente Störfestigkeit ± 100 V / ns im gesamten Temperaturbereich ...
- 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
- 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
- 600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in ...
24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...- 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
- 200 V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC 200 V High- und Low-Side-Treiber-IC mit typischen 1-A-Quellen- und 1-A-Senkenströmen in einem 8-Leiter-PDIP-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch in 8 Lead SOIC erhältlich.