50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).
50 V, 100 mA NPN/PNP-Doppeltransistor mit Widerstand; R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ NPN/PNP-Doppelwiderstandsbestückter Transistor (RET) in einem sehr kleinen SOT363 (SC-88) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device).