Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics

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1. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STF19NF20
   Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STF19NF20
   N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
2. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD19NF20
   Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STD19NF20
   N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...

3. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB19NF20
   Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STB19NF20
   N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
4. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP19NF20
   Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STP19NF20
   N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
5. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50Z
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
6. STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4NK50ZFP
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
7. STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4NK50Z
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
8. STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50ZT4
   N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
9. STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50Z-1
   N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
10. STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP75NF75
    N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
11. STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP75NF75FP
    N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
12. STB75NF75T4 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB75NF75 STB75NF75T4
    N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
13. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics BUZ171
    SIPMOS-Leistungstransistor
14. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics BUZ71
    N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET
15. STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STL200N45LF7
    N-Kanal 45 V, 1,4 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET im PowerFLAT 5x6 Gehäuse Alle Features Unter den niedrigsten R DS(on) auf dem Markt Ausgezeichneter FoM (Zahl des Verdienstes) Niedriges C rss /C iss- Verhältnis für EMI-Immunität Hohe ...
16. STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
17. STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STF9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220FP Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
18. STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im D2PAK-Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
19. STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STW9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-247 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
20. STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4N150
    N-Kanal 1500 V, Typ 5 Ohm, 4 A PowerMESH Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...

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