Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Renesas
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Renesas"
Hersteller
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- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
- Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm bis -3Pfm Nicht empfohlen für neue Designs MOSFETs, die zum Schalten (Motorantrieb usw.) und für Lastschalteranwendungen geeignet sind. Geringer Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hohe Robustheit.
- Nch Single Power MOSFET 40V 50A 3,5 Mohm LFPAK Unterstützung für hocheffizienten Antrieb und Design bei geringer Hitze
- Nch Single Power MOSFET 40V 50A 3,5 Mohm LFPAK Unterstützung für hocheffizienten Antrieb und Design bei geringer Hitze
60 V, 45 A, 4,8 mΩ max. Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Leistungsumschaltung- 60 V, 25 A, 14 mΩ max. Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Leistungsumschaltung
Part Number: RJK1056DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 100 V, 25 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 25 A Drain Source Voltage Vds: 100 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 11 MOhm Power Dissipation Pd: ...- Part Number: RJK1055DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 100 V, 23 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 23 A Drain Source Voltage Vds: 100 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 13 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK1054DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 100 V, 20 A, LFPAK Specifications: Current Id Max: 20 A Drain Source Voltage Vds: 100 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 17 MOhm Power Dissipation Pd: 55 W Rds(on) Test ...
- Part Number: RJK0856DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 80 V, 35 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 35 A Drain Source Voltage Vds: 80 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 6.9 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK0855DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 80 V, 30 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 30 A Drain Source Voltage Vds: 80 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 8.2 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK0854DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 80 V, 25 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 25 A Drain Source Voltage Vds: 80 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 10 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK0656DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 60 V, 40 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 40 A Drain Source Voltage Vds: 60 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 4.5 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK0655DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 60 V, 35 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 35 A Drain Source Voltage Vds: 60 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 5.3 MOhm Power Dissipation Pd: ...
- Part Number: RJK0654DPB Manufacturer: Renesas Description: MOSFET.N CH, 60 V, 30 A, LFPAK Download Data Sheet Specifications: Current Id Max: 30 A Drain Source Voltage Vds: 60 V Number of Pins: 5 On State Resistance: 6.5 MOhm Power Dissipation Pd: ...
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