Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Nexperia
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Nexperia"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedSerie
BSP122 BUK7M3R3-40H BUK7S0R5-40H BUK7V4R2-40H BUK9M3R3-40H BUK9V13-40H GAN063-650WSA PHK12NQ03LT PMF170XP PMN50XP PMV20EN PMV60EN PSMN0R9-25YLC PSMN0R9-30ULD PSMN1R0-40ULD PSMN3R7-100BSE PSMNR55-40SSH SI2302DSSuchergebnisse: 18 Ausgabe: 1-18
Aussicht: Aufführen / Bilder
N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Anreicherungsmodus auf Logikebene in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist nur für den Einsatz in Computer-, Kommunikations-, Verbraucher- und ...
20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.
N-Kanal 40 M, 0,55 mOhm, 500 Ampere kontinuierlicher MOSFET mit Standardpegel in LFPAK88 unter Verwendung der NextPowerS3-Technologie 500 Ampere Dauerstrom, Standard-Pegel-Gate-Ansteuerung, N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET im LFPAK88-Gehäuse. Die ...- N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 0,5 mOhm Standardpegel in LFPAK88 Kfz-qualifizierter N-Kanal-MOSFET mit der neuesten Trench 9-Technologie mit niedrigem Ohmschen Übergang, der in einem Kupferclip-LFPAK88-Gehäuse untergebracht ist. Dieses Produkt wurde ...
P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel
Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 13 mOhm Logikpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses ...- Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 4,2 mOhm Standardpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET auf Standardniveau in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. ...
- 30 V, N-Kanal-Graben-MOSFET
N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET Der 8V97003 ist ein Hochleistungs-Breitband-Mikrowellensynthesizer / Phasenregelkreis (PLL), der Ausgangsfrequenzen bis zu 18 GHz von einem integrierten spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) erzeugt, der eine Oktave ...
N-Kanal vertikaler D-MOS-Logikpegel-FET Der 8V97003 ist ein Hochleistungs-Breitband-Mikrowellensynthesizer / Phasenregelkreis (PLL), der Ausgangsfrequenzen bis zu 18 GHz von einem integrierten spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) erzeugt, der eine ...
650 V, 50 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET Der GAN063-650WSA ist ein 650 V, 50 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET. Es handelt sich um ein normalerweise ausgeschaltetes Gerät, das die hochmodernen Hochspannungs-GaN-HEMT- und ...- N-Kanal-MOSFET mit qualifizierter Logikstufe für die Automobilindustrie in einem LFPAK33-Gehäuse unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in Hochleistungs-Automobilanwendungen ...
- N-Kanal-MOSFET mit Standardqualifikation für die Automobilindustrie in einem LFPAK33-Gehäuse unter Verwendung der TrenchMOS-Technologie von Trench 9. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in Hochleistungs-Automobilanwendungen ...
- Standard-Level-Gate-Ansteuerungs-N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET in einem D2PAK-Gehäuse, das für 175 ° C qualifiziert ist. Der PSMN3R7-100BSE ist Teil des NextPower Live -Portfolios von Nexperia und bietet einen sehr niedrigen R DSon und eine ...
- SOT1023A mit verbessertem Kriechen und Spiel, um die UL2595-Anforderungen zu erfüllen. Dieses Produkt wurde für Hochleistungs-Leistungsschaltanwendungen entwickelt und qualifiziert.
- SOT1023A mit verbessertem Kriechen und Spiel, um die UL2595-Anforderungen zu erfüllen. N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET mit 300 Ampere-Logikpegel-Gate-Ansteuerung im LFPAK56-Gehäuse. Das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige ScotkyPlus ...
- N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET
- N-Kanal 25 V 0,99 mΩ Logikpegel-MOSFET in LFPAK unter Verwendung der NextPower-Technologie
Sortiere nach: Relevanz / Datum