Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Microchip

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1. VP0550 — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip VP0550
   Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
2. LND250K1-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip LND250 LND250K1-G
   DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus

3. LND150K1-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip LND150 LND150K1-G
   Der LND150 ist ein Hochspannungstransistor im N-Kanal-Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie verwendet
4. LND01K1-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip LND01 LND01K1-G
   MOSFET, lateraler N-Kanal-Verarmungsmodus
5. DN3765K4-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3765 DN3765K4-G
   Dieser Transistor im Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet) verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
6. DN3545N3-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3545 DN3545N3-G
   450 V, 20 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
7. DN3535N8-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3535 DN3535N8-G
   350 V, 10 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
8. DN3525N8-G — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3525 DN3525N8-G
   DN3525 ist ein Transistor mit niedrigem Schwellenwert (normalerweise eingeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet
9. DN3145 — Datasheet Microchip
   MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3145
   450 V, 60 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
10. DN3135 — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN3135
    DN3135 ist ein Transistor im Low-Threshold-Depletion-Modus (normalerweise eingeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet
11. DN2625DK6-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2625 DN2625DK6-G
    250 V, 3,5 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
12. DN2540N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2540 DN2540N3-G
    400 V, 25 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
13. DN2535N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2535 DN2535N3-G
    DN2535 ist ein Transistor mit niedrigem Schwellenwert (normalerweise eingeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet
14. DN2530N3-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2530 DN2530N3-G
    300 V, 12 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
15. DN2470K4-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2470 DN2470K4-G
    700 V, 42 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
16. DN2450K4-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN2450 DN2450K4-G
    500 V, 10 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
17. DN1509K1-G — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip DN1509 DN1509K1-G
    90 V, 6 Ohm, N-Kanal, Verarmungsmodus, vertikaler DMOS-FET
18. MIC4609YWM-TR — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip MIC4609 MIC4609YWM-TR
    600 V dreiphasiger MOSFET- oder IGBT-Treiber. Der MIC4609 verfügt über eine typische Eingangsfilterzeit von 300 ns, um unerwünschte Impulse zu vermeiden, und eine Ausbreitungsverzögerung von 550 ns. Der MIC4609 verfügt über TTL-Eingangsschwellen. ...
19. 2N6660 — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip 2N6660
    60 V, 3 Ohm, N-Kanal, Verbesserungsmodus, vertikaler DMOS-FET
20. MIC2514YM5-TR — Datasheet Microchip
    MOSFET-Einzeltransistoren Microchip MIC2514 MIC2514YM5-TR
    Der MIC2514 ist ein integrierter High-Side-Netzschalter, der aus einem TTL-kompatiblen Eingang und einem geschützten Pchannel-MOSFET besteht

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