Datasheets - Gate-Treiber Infineon
Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
Hersteller: "Infineon"
Hersteller
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMICSerie
1ED3491MU12M 1ED3830MU12M 1EDB6275F 1EDB7275F 1EDB8275F 1EDB9275F 1EDN7550B 1EDN7550U 1EDN8550B 2ED21064S06J 2ED2106S06F 2ED21084S06J 2ED2108S06F 2ED21091S06F 2ED21094S06J 2ED2109S06F 2ED21814S06J 2ED2181S06F 2ED21824S06J 2ED2182S06F 2ED21834S06J 2ED2183S06F 2ED21844S06J 2ED2184S06F 2ED24427N01F 6ED2230S12T IR2011Suchergebnisse: 27 Ausgabe: 1-20
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- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB8275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the gate driver is optimized for fast-switching applications ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB7275F provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With a propagation delay accuracy of +4/-6ns, the device is optimized for fast-switching applications with ...
- Single-channel isolated gate-driver IC in 150 mil DSO-8 package The EiceDRIVER™ 1EDB family of single-channel gate-driver ICs provides an input-to-output isolation of 3kV rms . With +4/-6ns propagation delay accuracy the gate driver family is ...
- 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
200 V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC 200 V High- und Low-Side-Treiber-IC mit typischen 1-A-Quellen- und 1-A-Senkenströmen in einem 8-Leiter-PDIP-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs. Auch in 8 Lead SOIC erhältlich.
5.7 kV, 3 A single-channel highly flexible isolated gate driver with I2C configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, TLTO and Fault EiceDRIVER™ Enhanced single-channel highly flexible isolated gate driver with ±3 A typical sinking and ...
5.7 kV, 9 A single-channel flexible isolated gate driver with active Miller clamp, adjustable DESAT and Soft-off EiceDRIVER™ Enhanced single-channel highly flexible isolated gate driver with ±9 A typical sinking and sourcing peak output current in ...- 1200 V, 0,65 Ein dreiphasiger Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Überstromschutz im DSO-24-Gehäuse Dreiphasen-SOI-Gate-Treiber mit 1200 V, integrierter Bootstrap-Diode und Überstromschutz mit typischen 0,35-A-Quellen- und ...
- Nicht isolierte 1-Kanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit wirklich differenziellen Eingängen
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrückentor-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
- 650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-14-Gehäuse
650 V, 2,5 Ein Hochstrom-High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-IC mit integrierter Bootstrap-Diode im DSO-8-Gehäuse
650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-14-Paket- 650 V, 0,7 Ein Halbbrücken-Gate-Treiber mit integrierter Bootstrap-Diode und Abschaltung im DSO-8-Paket
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