GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...
GaN Power IC im DFN5x6-Paket Diese Geräte sind Leistungs-ICs, die auf 650-V-Leistungs-GaN-HEMTs basieren und proprietäres (zum US-Patent angemeldetes) E-Mode-GaN auf Siliziumtechnologie verwenden. Der Gate-Treiber ist in den ...