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DatenblätterMOSFET-Einzeltransistoren
Eudyna Devices

Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Eudyna Devices

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Eudyna Devices"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed
Serie
FHX35LG
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  1. FHX35LG — Datasheet Eudyna Devices
    MOSFET-Einzeltransistoren Eudyna Devices FHX35LG
    HEMT mit extrem niedrigem Rauschen Der FHX35LG ist ein High Electron Mobility Transistor (HEMT) für allgemeine, rauscharme und hochverstärkende Verstärker im Frequenzbereich von 2-18 GHz. Dieses Gerät ist in kostengünstigen, parasitenarmen, ...