Datasheets - Gate-Treiber Efficient Power Conversion
Unterabschnitt: "Gate-Treiber"
Hersteller: "Efficient Power Conversion"
Hersteller
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMICSuchergebnisse: 6 Ausgabe: 1-6
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100 V, 65 A ePower-Chipsatz In Kombination mit EPC2302 zu einer Leistungsstufe bis 65 A Integrierter Halbbrückentreiber, Level Shift, Bootstrap und High-Side-FET Laststrom der Endstufe (1 MHz), 65 A Maximale Eingangsspannung, 100 V- 80 V, 12,5 A ePower-Stufe Nennausgangsstrom (1 MHz) (1), 12,5 A. Betriebs-PWM-Frequenzbereich (2), 3 MHz Betriebseingangsspannungsbereich, 60 V. Vorspannungsversorgungsspannung, 12 V. Ausgangsstrom- und PWM-Frequenzwerte sind Funktionen der ...
- 80-V-GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Verbesserungsmodus
- 60 V GaN-Leistungstransistor-Halbbrücke im Enhancement-Mode
200 V, 10 A Integrierter Gate-Treiber eGaN IC
Dual 150 V, 5 A Integrierte Gate-Treiber eGaN IC
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