Datasheets - Bipolare Einzeltransistoren Central Semiconductor
Unterabschnitt: "Bipolare Einzeltransistoren"
Hersteller: "Central Semiconductor"
Hersteller
Allegro AUK Semiconductor Bourns C Scope CDIL Central Semiconductor CET Comset Semiconductors Diodes Diotec Fairchild Inchange Semiconductor Infineon International Rectifier Kingbright Magnatec MCC Microsemi Mitsubishi Electric Motorola Multicomp National Semiconductor NEC New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor OSRAM Panasonic Philips Renesas Rohm Samsung Sanyo Secos Semelab Siemens Solid State SPC Technology STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Toshiba TT Electronics Unitra ПрочиеSuchergebnisse: 8 Ausgabe: 1-8
Aussicht: Aufführen / Bilder
40 V, 600 mA, 400 mW Durchgangsloch-Transistor-Kleinsignal ( = 1 A) PNP-Universalverstärker/-schalter- 60V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Kleinsignal ( =1A) PNP Low Noise
40 V, 600 mA, 350 mW Transistor-Kleinsignal für Oberflächenmontage ( = 1A) NPN-Universalverstärker / -schalter- Silizium-NPN-Kleinsignaltransistoren
- Durchgangslochtransistor-Bipolare Leistung ( 1A) PNP Darlington
- Durchgangstransistor-Kleinsignal ( = 1A) PNP Low Noise
- Durchgangstransistor-Bipolare Leistung ( 1A) PNP-Universalverstärker / -schalter
- Durchgangsloch-Transistor-Bipolare Leistung ( 1A) NPN-Universalverstärker / -schalter
Sortiere nach: Relevanz / Datum