Datasheet WM02N50M (Wayon) - 4
| Hersteller | Wayon |
| Beschreibung | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Seiten / Seite | 5 / 4 — WM02N50M. Ciss. Coss. Crss. F=1.0MHz |
| Dateiformat / Größe | PDF / 367 Kb |
| Dokumentensprache | Englisch |
WM02N50M. Ciss. Coss. Crss. F=1.0MHz
Modelllinie für dieses Datenblatt
Textversion des Dokuments
WM02N50M
10000 1000
Ciss
） pF （ 100
Coss
ce n ta
Crss
ciapa 10 C
F=1.0MHz
1 0 5 10 15 20 Drain-source voltage VDS（V） Figure 7. Capacitance Characteristics Figure 8. Gate Charge Characteristics Rev.D,2021 www.way-on.com 4 / 5
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Ciss
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Coss
ce n ta
Crss
ciapa 10 C
F=1.0MHz
1 0 5 10 15 20 Drain-source voltage VDS（V） Figure 7. Capacitance Characteristics Figure 8. Gate Charge Characteristics Rev.D,2021 www.way-on.com 4 / 5