Datasheet 2N2907A (Diotec)
| Hersteller | Diotec |
| Beschreibung | General Purpose PNP Transistors |
| Seiten / Seite | 2 / 1 — 2N2907A. 2N2907A IC. = -600 mA. hFE ~ 200. Tjmax = 150°C General Purpose … |
| Dateiformat / Größe | PDF / 157 Kb |
| Dokumentensprache | Englisch |
2N2907A. 2N2907A IC. = -600 mA. hFE ~ 200. Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors. Universal-PNP-Transistoren VCEO = -60 V
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2N2907A
2N2907A IC
= -600 mA
hFE ~ 200
Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors
Universal-PNP-Transistoren VCEO = -60 V
Ptot = 625 mW Version 2017-12-07 18 9
2 x 2.54 Dimensions -Maße [mm] Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1) Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EL
V E BC Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1) EE
WE 23.5
16 TO-92 (10D3) Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) (1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54) 4000 Weight approx. 0.18 g (1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt-und Einbaubedingungen MSL N/A
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren 2N2222A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
2N2907A Collector-Emitter-volt. -Kollektor-Emitter-Spannung E open -VCB0 60 V Collector-Emitter-volt. -Kollektor-Emitter-Spannung B open -VCE0 60 V Emitter-Base-voltage -Emitter-Basis-Spannung C open -VEBO 5V Ptot 625 mW 3) -IC 600 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom -IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj
TS -55.+150°C
-55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom DC Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max. -ICBO – – 10 nA -VCEsat –
– –
– 0.4 V
1.6 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
-VCB = 50 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
-IC = 150 mA, -IB = 15 mA 4)
-IC = 500 mA, -IB = 50 mA 4) 1
2
3
4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2N2907A IC
= -600 mA
hFE ~ 200
Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors
Universal-PNP-Transistoren VCEO = -60 V
Ptot = 625 mW Version 2017-12-07 18 9
2 x 2.54 Dimensions -Maße [mm] Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1) Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EL
V E BC Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1) EE
WE 23.5
16 TO-92 (10D3) Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) (1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54) 4000 Weight approx. 0.18 g (1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt-und Einbaubedingungen MSL N/A
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren 2N2222A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
2N2907A Collector-Emitter-volt. -Kollektor-Emitter-Spannung E open -VCB0 60 V Collector-Emitter-volt. -Kollektor-Emitter-Spannung B open -VCE0 60 V Emitter-Base-voltage -Emitter-Basis-Spannung C open -VEBO 5V Ptot 625 mW 3) -IC 600 mA Peak Base current – Basis-Spitzenstrom -IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj
TS -55.+150°C
-55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom DC Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max. -ICBO – – 10 nA -VCEsat –
– –
– 0.4 V
1.6 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
-VCB = 50 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
-IC = 150 mA, -IB = 15 mA 4)
-IC = 500 mA, -IB = 50 mA 4) 1
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4 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1