Datasheet IRG4PH40UD2-EP (Infineon) - 9

HerstellerInfineon
BeschreibungInsulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode. UltraFast CoPack IGBT
Seiten / Seite11 / 9 — D.U.T. RL=. 800V. 4 X IC @25°C. 0 - 800V
Revision01_00
Dateiformat / GrößePDF / 242 Kb
DokumentenspracheEnglisch

D.U.T. RL=. 800V. 4 X IC @25°C. 0 - 800V

D.U.T RL= 800V 4 X IC @25°C 0 - 800V

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IRG4PH40UD2-EP Vg GATE SIGNAL DEVICE UNDER TEST CURRENT D.U.T. VOLTAGE IN D.U.T. CURRENT IN D1 t0 t1 t2 Figure 18e. Macro Waveforms for Figure 18a's Test Circuit L
D.U.T. RL= 800V 4 X IC @25°C
1000V V * c
0 - 800V
50V 6000µF 100V Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit Figure 20. Pulsed Collector Current Test Circuit www.irf.com 9