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Datasheet 2SJ168 (Toshiba)
Datasheet 2SJ168 (Toshiba) - 4
Hersteller
Toshiba
Beschreibung
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS
Seiten / Seite
5
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4
— 2SJ168. 4. 2014-03-01. Document. Outline. TOSHIBA. Field. Effect. …
Dateiformat / Größe
PDF
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325 Kb
Dokumentensprache
Englisch
2SJ168. 4. 2014-03-01. Document. Outline. TOSHIBA. Field. Effect. Transistor. Silicon. P. Channel. MOS. Type. Absolute. Maximum. Ratings. (Ta. . 25°C)
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Modelllinie für dieses Datenblatt
2SJ168
Textversion des Dokuments
2SJ168 4 2014-03-01 Document Outline TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C) Marking Electrical Characteristics (Ta 25°C) RESTRICTIONS ON PRODUCT USE
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