Datasheet XPN12006NC (Toshiba) - 6

HerstellerToshiba
BeschreibungMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
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DokumentenspracheEnglisch

XPN12006NC. Fig. 8.7. ID. -. VGS. Fig. 8.8. RDS(ON). -. ID. Fig. 8.9. RDS(ON). -. Ta. Fig. 8.10. IDR. -. VDS. Fig. 8.11. V(BR)DSS. -. Ta. Fig. 8.12. Vth. -. Ta. ©2019-2020. 6

XPN12006NC Fig 8.7 ID - VGS Fig 8.8 RDS(ON) - ID Fig 8.9 RDS(ON) - Ta Fig 8.10 IDR - VDS Fig 8.11 V(BR)DSS - Ta Fig 8.12 Vth - Ta ©2019-2020 6

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XPN12006NC Fig. 8.7 ID - VGS Fig. 8.8 RDS(ON) - ID Fig. 8.9 RDS(ON) - Ta Fig. 8.10 IDR - VDS Fig. 8.11 V(BR)DSS - Ta Fig. 8.12 Vth - Ta ©2019-2020 6 2020-06-24 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Rev.4.0