Datasheet TK65S04N1L (Toshiba) - 6
Hersteller | Toshiba |
Beschreibung | Power MOSFET (N-ch single 30V |
Seiten / Seite | 10 / 6 — TK65S04N1L. Fig. 8.7. IDR. -. VDS. Fig. 8.8. Capacitance. -. VDS. Fig. … |
Dateiformat / Größe | PDF / 344 Kb |
Dokumentensprache | Englisch |
TK65S04N1L. Fig. 8.7. IDR. -. VDS. Fig. 8.8. Capacitance. -. VDS. Fig. 8.9. Vth. -. Ta. Fig. 8.10. Dynamic. Input/Output. Characteristics. Fig. 8.11. PD. -. Tc
Modelllinie für dieses Datenblatt
Textversion des Dokuments
TK65S04N1L Fig. 8.7 IDR - VDS Fig. 8.8 Capacitance - VDS Fig. 8.9 Vth - Ta Fig. 8.10 Dynamic Input/Output Characteristics Fig. 8.11 PD - Tc (Guaranteed Maximum) ©2015-2018 6 2018-05-09 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Rev.6.0