Datasheet F3L11MR12W2M1_B65 (Infineon) - 10
| Hersteller | Infineon |
| Beschreibung | 3-Level 1200 V CoolSiC™ Module |
| Seiten / Seite | 11 / 10 — VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. … |
| Revision | 02_01 |
| Dateiformat / Größe | PDF / 675 Kb |
| Dokumentensprache | Englisch |
VorläufigeDaten. PreliminaryData. Schaltplan/Circuitdiagram. Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Modelllinie für dieses Datenblatt
Textversion des Dokuments
F3L11MR12W2M1_B65
VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon Datasheet 10 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /
VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon Datasheet 10 V2.1 2019-06-26 Document Outline / MOSFET / MOSFET IGBT,3-Level / IGBT,3-Level Diode, 3-Level / Diode, 3-Level Modul / Module NTC-Widerstand / NTC-Thermistor Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Diagramme / charts Schaltplan / Circuit diagram Gehäuseabmessungen / Package outlines /