Datasheet Texas Instruments CSD16411Q3 — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD16411Q3
ArtikelnummerCSD16411Q3
Datasheet Texas Instruments CSD16411Q3

N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 542 Kb, Revision: B, Datei veröffentlicht: Nov 29, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD16411
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC56 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)138 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ2.9 nC
QGD Typ0.7 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V12 mOhm
Rds(on) Max at VGS=10V10 mOhms
Rds(on) Max at VGS=4.5V15 mOhms
VDS25 V
VGS16 V
VGSTH Typ2 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Design Kits und Evaluierungsmodule

  • Evaluation Modules & Boards: TPS2592AAEVM-531
    TPS2592AA 12-V eFuse Evaluation Module
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)
  • Evaluation Modules & Boards: TPS2592BLEVM-531
    TPS2592BL 12-V eFuse Evaluation Module
    Lifecycle Status: Active (Recommended for new designs)

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor