Datasheet Texas Instruments CSD16323Q3 — Datenblatt

HerstellerTexas Instruments
SerieCSD16323Q3
ArtikelnummerCSD16323Q3
Datasheet Texas Instruments CSD16323Q3

N-Kanal NexFET ™ Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150

Datenblätter

CSD16323Q3 N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 421 Kb, Revision: C, Datei veröffentlicht: Nov 29, 2016
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)
Manufacture's Sample AvailabilityYes

Verpackung

Pin8
Package TypeDQG
Package QTY2500
CarrierLARGE T&R
Device MarkingCSD16323
Width (mm)3.3
Length (mm)3.3
Thickness (mm)1
Mechanical DataHerunterladen

Parameter

ConfigurationSingle
ID, Silicon limited at Tc=25degC21 A
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max)112 A
PackageSON3x3 mm
QG Typ6.2 nC
QGD Typ1.1 nC
RDS(on) Typ at VGS=4.5V4.4 mOhm
Rds(on) Max at VGS=4.5V5.5 mOhms
VDS25 V
VGS10 V
VGSTH Typ1.1 V

Öko-Plan

RoHSCompliant
Pb FreeYes

Anwendungshinweise

  • Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs
    PDF, 1.4 Mb, Datei veröffentlicht: Nov 16, 2011

Herstellerklassifikation

  • Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor