Datasheet STMicroelectronics STB11NM60T4 — Datenblatt
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | STB11NM60T4 |
| Artikelnummer | STB11NM60T4 |
N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse
Datenblätter
Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 15, 2020, Seiten: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden.
Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem Streifenlayout des Unternehmens eine vertikale Struktur zu, um eine der weltweit niedrigsten Einschaltwiderstands- und Gate-Ladungen zu erzielen. Sie eignen sich daher für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler.
Eigenschaften:
- 100% Lawine getestet
- Niedriger Gate-Eingangswiderstand
- Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Status
| Lifecycle Status | NRND (Not recommended for new designs) |
Verpackung
| Package | D2PAK |
Andere Optionen
Herstellerklassifikation
- Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V