Datasheet Infineon IGC033S101 — Datenblatt
| Hersteller | Infineon |
| Serie | IGC033S101 |
Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Datenblätter
Datasheet IGC033S101
PDF, 1.2 Mb, Sprache: en, Revision: 01_00, Datei hochgeladen: Apr 23, 2025, Seiten: 18
The IGC033S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs
The IGC033S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochstromanwendungen.
Status
| IGC033S101XTMA1 | |
|---|---|
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Modellreihe
Serie: IGC033S101 (1)
Herstellerklassifikation
- Power > Gallium nitride (GaN) > GaN transistors