Datasheet ON Semiconductor NXH006P120MNF2PTG — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieNXH006P120MNF2
ArtikelnummerNXH006P120MNF2PTG

SiC-Module, Halbbrücke 2-PACK 1200 V, 6 mohm SiC-MOSFET, F2-Gehäuse

Datenblätter

Datasheet NXH006P120MNF2PTG
PDF, 1.8 Mb, Sprache: en, Revision: P3, Datei hochgeladen: Jul 1, 2021, Seiten: 10
F2HALFBR Module
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Das NXH006P120MNF2 ist ein Halbbrücken- oder 2-PACK-SiC-Modul mit 2 6-mohm 1200-V-SiC-MOSFET-Schaltern und einem Thermistor in einem F2-Gehäuse.

Die SiC-MOSFET-Schalter verwenden die M1-Technologie und werden mit 18V-20V Gate-Ansteuerung angesteuert.

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Verpackung

PackagePIM36 56.7x42.5 (PRESS FIT)
Package Code180BY

Öko-Plan

CompliancePb-free | Halide free

Modellreihe

Serie: NXH006P120MNF2 (1)
  • NXH006P120MNF2PTG

Herstellerklassifikation

  • Power Modules > SiC Modules