Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4TR — Datenblatt

600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi

Datenblätter

PDF, 480 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Apr 15, 2021, Seiten: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Auszug aus dem Dokument

Alle Features

600-V-System im Paket mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Leistungstransistoren:
- QFN 9 x 9 x 1 mm Packung
- R _{DS (EIN)} = 225 mΩ
- I _{DS (MAX)} = 6,5 A.
Rückstromfähigkeit
Kein Reverse-Recovery-Verlust
UVLO-Schutz auf der Low-Side und High-Side
Interne Bootstrap-Diode
Verriegelungsfunktion
Spezieller Pin für die Funktion zum Herunterfahren

Lifecycle Status

Active (Recommended for new designs)

Package

VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

Serie: MASTERGAN4 (2)