Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2TR — Datenblatt
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | MASTERGAN2 |
| Artikelnummer | MASTERGAN2TR |
600V Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und GaN HEMT mit zwei Verbesserungsmodi
Datenblätter
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
Preise
Detaillierte Beschreibung
Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Stromversorgungssystem im Paket, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren im Enhancement-Modus in asymmetrischer Halbbrückenkonfiguration integriert.
Die integrierten Leistungs-GaNs haben eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 650 V und einen R DS (ON) von 150 mΩ bzw.
225 mΩ für die Low-Seite bzw. die High-Seite, während die High-Seite des Embedded-Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann , während die hohe Seite des eingebetteten Gate-Treibers leicht von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Der MASTERGAN2 verfügt sowohl im unteren als auch im oberen Fahrbereich über einen UVLO-Schutz, der verhindert, dass die Netzschalter unter Bedingungen mit geringem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen arbeiten, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querleitungsbedingungen.
Der erweiterte Bereich der Eingangspins ermöglicht eine einfache Verbindung mit Mikrocontrollern, DSP-Einheiten oder Hall-Effekt-Sensoren.
Der MASTERGAN2 arbeitet im industriellen Temperaturbereich von -40 ° C bis 125 ° C.
Das Gerät ist in einem kompakten 9x9 mm QFN-Gehäuse erhältlich.
Status
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
Verpackung
| Package | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM |
Modellreihe
- MASTERGAN2 MASTERGAN2TR
Herstellerklassifikation
- Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers