Datasheet STMicroelectronics STX817A-AP — Datenblatt
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | STX817A |
Artikelnummer | STX817A-AP |
PNP Mittlere Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse
Datenblätter
Datasheet STX817A
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PNP Medium power transistor
PNP Medium power transistor
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Spezifikationen:
- Kollektor-Emitter-Spannung V (br) ceo: 80 V.
- Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 250 mV
- Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max: 1 A.
- Strom Ic Kontinuierlich a Max: 1 A.
- DC-Kollektorstrom: 1 A.
- Gleichstromverstärkung min: 25
- Gleichstromverstärkung: 1 A.
- Verstärkungsbandbreite ft Typ: 50 MHz
- Montagetyp: Durchgangsloch
- Anzahl der Stifte: 3
- Paket / Fall: TO-92
- Verlustleistung Pd: 900 mW
- Verlustleistung Ptot Max: 900 mW
- SVHC: Kein SVHC (15.12.2010)
- Transistorgehäusestil: TO-92
- Transistorpolarität: PNP
- Spannung Vcbo: 80 V.
- RoHS: Ja
Modellreihe
Herstellerklassifikation
- Bipolar transistor
Andere Namen:
STX817AAP, STX817A AP