Datasheet Renesas HIP2211FBZ-T — Datenblatt
| Hersteller | Renesas |
| Serie | HIP2211 |
| Artikelnummer | HIP2211FBZ-T |
100 V, 3A-Quelle, 4A-Senke, Hochfrequenz-Halbbrückentreiber mit HI / LI-Eingang und einstellbarer Totzeit
Datenblätter
100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with Tri-Level PWM Input and Adjustable Dead Time
Preise
Detaillierte Beschreibung
Der HIP2211 ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit 100 V, 3 A-Quelle und 4 A-Senke.
Der HIP2211 verfügt über Standard-HI / LI-Eingänge und ist Pin-kompatibel mit gängigen Renesas-Brückentreibern wie dem HIP2101 und dem ISL2111. Der breite Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis 18 V und die integrierte High-Side-Bootstrap-Diode unterstützen die Ansteuerung des High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen.
Dieser Treiber verfügt über eine starke 3A-Quelle, einen 4A-Senkentreiber mit einer sehr schnellen typischen Ausbreitungsverzögerung von 15 ns und einer typischen Verzögerungsanpassung von 2 ns, was ihn für Hochfrequenzschaltanwendungen optimal macht. VDD und Boot UVLO schützen vor Unterspannungsbetrieb.
Der HIP2211 wird in 8 Ld SOIC-, 8 Ld 4x4 mm DFN- und 10 Ld 4x4 mm TDFN-Paketen angeboten.
Andere Optionen
Modellreihe
Herstellerklassifikation
- Power Management > MOSFET Drivers > Half, Full Bridge & Three Phase Drivers
Andere Namen:
HIP2211FBZT, HIP2211FBZ T