Datasheet Renesas HIP2210 — Datenblatt
| Hersteller | Renesas |
| Serie | HIP2210 |
100-V-, 3-A-Quelle, 4-A-Senke, Hochfrequenz-Halbbrückentreiber mit dreistufigem PWM-Eingang und einstellbarer Totzeit
Datenblätter
100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with Tri-Level PWM Input and Adjustable Dead Time
Preise
Detaillierte Beschreibung
Der HIP2210 ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-NMOS-FET-Treiber mit 100 V, 3 A-Quelle und 4 A-Senke.
Der HIP2210 verfügt über einen dreistufigen PWM-Eingang mit programmierbarer Totzeit. Der breite Betriebsversorgungsbereich von 6 V bis 18 V und die integrierte High-Side-Bootstrap-Diode unterstützen die Ansteuerung des High-Side- und Low-Side-NMOS in 100-V-Halbbrückenanwendungen.
Dieser Treiber verfügt über starke 3A-Source- und 4A-Sink-Treiber mit einer sehr schnellen typischen Ausbreitungsverzögerung von 15 ns und einer typischen Verzögerungsanpassung von 2 ns, was ihn für Hochfrequenzschaltanwendungen optimal macht. VDD und Boot UVLO schützen vor Unterspannungsbetrieb.
Der dreistufige Eingang des HIP2210 PWM-Pins steuert die High-Side- und Low-Side-Treiber mit einem einzigen Pin. Wenn der PWM-Eingang logisch hoch ist, wird der High-Side-Brücken-FET eingeschaltet und der Low-Side-FET ausgeschaltet. Wenn der Eingang logisch niedrig ist, wird der Low-Side-Brücken-FET eingeschaltet und der High-Side-FET ausgeschaltet. Wenn sich die Eingangsspannung im mittleren Pegel befindet, werden sowohl die High-Side- als auch die Low-Side-Brücken-FETs ausgeschaltet. Die PWM-Schwellenwerte sind proportional zu einer externen Eingangsreferenzspannung am VREF-Pin und ermöglichen den PWM-Betrieb über einen logischen Bereich von 2,7 V bis 5,5 V.
Der HIP2210 wird in einem 10 Ld 4x4mm TDFN-Paket angeboten.
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Modellreihe
Herstellerklassifikation
- Power Management > MOSFET Drivers > Half, Full Bridge & Three Phase Drivers