Datasheet IXYS IXTP02N50D — Datenblatt

Hersteller	IXYS
Serie	IXTP02N50D
Artikelnummer	IXTP02N50D

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Datenblätter

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PDF, 213 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 15, 2020, Seiten: 4
High VoltagePower MOSFET

Auszug aus dem Dokument

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Detaillierte Beschreibung

MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten.

Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ansonsten ähnliche MOSFET-ähnliche Eigenschaften. Sie eignen sich für Pegelverschiebungen, Halbleiterrelais, Stromregler und aktive Lasten.

Pakettyp: TO-220

Andere Optionen

IXTU02N50D IXTU02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Herstellerklassifikation

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode